鉅大LARGE | 點擊量：402次 | 2023年06月29日
功率MOSFET管在過電流和過電壓條件下?lián)p壞形態(tài)的原由
本文結合功率MOSFET管失效分解圖片不同的形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了萌生這樣的損壞形態(tài)的原由，也分解了功率MOSFET管在關斷及開通過程中，發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效是在關斷還是在開通過程中發(fā)生損壞供應了判斷根據(jù)。給出了探測過電流和過電壓的電路圖。同時，也分解了功率MOSFET管在動態(tài)老化探測中慢速開通及在電池保護電路使用中慢速關斷時，較長時間工作在線性區(qū)時，損壞的形態(tài)。最后，結合實際的使用，論述了功率MOSFET通常會萌生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
0前言
目前，功率MOSFET管廣泛地使用于開關電源系統(tǒng)及其它的一些功率電子電路中，然而，在實際的使用中，通常，在一些極端的邊界條件下，如系統(tǒng)的輸出短路及過載探測，輸入過電壓探測以及動態(tài)的老化探測中，功率MOSFET有時候會發(fā)生失效損壞。工程師將損壞的功率MOSFET送到半導體原廠做失效分解后，得到的失效分解報告的結論通常是過電性應力EOS，無法判斷有什么原由導致MOSFET的損壞。
本文將通過功率MOSFET管的工作特性，結合失效分解圖片中不同的損壞形態(tài)，系統(tǒng)的分解過電流損壞和過電壓損壞，同時，依據(jù)損壞位置不同，分解功率MOSFET管的失效是發(fā)生在開通的過程中，還是發(fā)生在關斷的過程中，從而為設計工程師供應一些根據(jù)，來找到系統(tǒng)設計的一些問題，提高電子系統(tǒng)的可靠性。
1、過電壓和過電流探測電路
符合Exic IIB T4 Gc防爆標準
充電溫度：0~45℃
-放電溫度：-40~+55℃
-40℃最大放電倍率：1C
-40℃ 0.5放電容量保持率≥70%
過電壓探測的電路圖如圖1（a）所示，選用40V的功率MOSFET：AON6240，DFN5*6的封裝。其中，所加的電源為60V，使用開關來控制，將60V的電壓筆直加到AON6240的D和S極，熔絲用來保護探測系統(tǒng)，功率MOSFET損壞后，將電源斷開。探測樣品數(shù)量：5片。
過電流探測的電路圖如圖2（b）所示，選用40V的功率MOSFET：AON6240，DFN5*6的封裝。首先合上開關A，用20V的電源給大電容充電，電容C的容值：15mF，然后斷開開關A，合上開關b，將電容C的電壓加到功率MOSFET的D和S極，使用信號發(fā)生器萌生一個電壓幅值為4V、繼續(xù)時間為1秒的單脈沖，加到功率MOSFET的G極。探測樣品數(shù)量：5片。
（a）：過電壓探測
（b）：過電流探測
圖1：：探測電路圖
2、過電壓和過電流失效損壞
將過電壓和過電流探測損壞的功率MOSFET去除外面的塑料外殼，對露出的硅片正面失效損壞的形態(tài)的圖片，分別如圖2（a）和圖2（b）所示。
（a）：過電壓損壞
（b）：過電流損壞
圖2：失效圖片
從圖2（a）可以看到：過電壓的失效形態(tài)是在硅片中間的某一個位置萌生一個擊穿小孔洞，通常稱為熱點，其萌生的原由就是因為過壓而萌生雪崩擊穿，在過壓時，通常導致功率MOSFET內部寄生三極管的導通［1］，由于三極管具有負溫度系數(shù)特性，當局部流過三極管的電流越大時，溫度越高，而溫度越高，流過此局部區(qū)域的電流就越大，從而導致功率MOSFET內部形成局部的熱點而損壞。
硅片中間區(qū)域是散熱條件最差的位置，也是最容易萌生熱點的地方，可以看到，上圖中，擊穿小孔洞即熱點，正好都位于硅片的中間區(qū)域。
在過流損壞的條件下，圖2（b）的可以看到：所有的損壞位置都是發(fā)生的S極，而且比較靠近G極，因為電容的能量放電形成大電流，全部流過功率MOSFET，所有的電流全部要匯聚集S極，這樣，S極附近萌生電流聚集，因此溫度最高，也最容易萌生損壞。
留意到，在功率MOSFET內部，是由許多單元并聯(lián)形成的，如圖3（a）所示，其等效的電路圖如圖3（b）所示，在開通過程中，離G極近地區(qū)域，VGS的電壓越高，因此區(qū)域的單元流過電流越大，因此在瞬態(tài)開通過程承擔更大的電流，這樣，離G極近的S極區(qū)域，溫度更高，更容易因過流萌生損壞。
（a）：內部結構（b）：等效電路
圖3：功率MOSFET內部結構及等效電路
3、過電壓和過電流混合失效損壞
在實際使用中，單一的過電流和過電流的損壞通常很少發(fā)生，更多的損壞是發(fā)生過流后，由于系統(tǒng)的過流保護電路工作，將功率MOSFET關斷，這樣，在關斷的過程中，發(fā)生過壓即雪崩。從圖4可以看到功率MOSFET先過流，然后進入雪崩發(fā)生過壓的損壞形態(tài)。
圖4：過流后再過壓損壞形態(tài)
可以看到，和上面過流損壞形式類似，它們也發(fā)生在靠近S極的地方，同時，也有因為過壓萌生的擊穿的洞坑，而損壞的位置遠離S極，和上面的分解類似，在關斷的過程，距離G極越遠的位置，在瞬態(tài)關斷過程中，VGS的電壓越高，承擔電流也越大，因此更容易發(fā)生損壞。
4、線性區(qū)大電流失效損壞
在電池充放電保護電路板上，通常，負載發(fā)生短線或過流電，保護電路將關斷功率MOSFET，以免電池萌生過放電。但是，和通常短路或過流保護快速關斷方式不同，功率MOSFET以非常慢的速度關斷，如下圖5所示，功率MOSFET的G極通過一個1M的電阻，緩慢關斷。從VGS波形上看到，米勒平臺的時間高達5ms。米勒平臺期間，功率MOSFET工作在放大狀態(tài)，即線性區(qū)。
功率MOSFET工作開始工作的電流為10A，使用器件為AO4488，失效的形態(tài)如圖5（c）所示。當功率MOSFET工作在線性區(qū)時，它是負溫度系數(shù)［2］，局部單元區(qū)域發(fā)生過流時，同樣會萌生局部熱點，溫度越高，電流越大，導致溫度更一步新增，然后過熱損壞?？梢钥闯觯鋼p壞的熱點的面積較大，是因為此區(qū)域過一按時間的熱量的積累。
另外，破位的位置離G極較遠，損壞同樣發(fā)生的關斷的過程，破位的位置在中間區(qū)域，同樣，也是散熱條件最差的區(qū)域。
在功率MOSFET內部，局部性能弱的單元，封裝的形式和工藝，都會對破位的位置萌生影響。
（a）：電池保護板電路（b）：工作波形
（c）：失效圖片
圖5：電池保護電路板工作波形及MOSFET失效形態(tài)
一些電子系統(tǒng)在起動的過程中，芯片的VCC電源，也是功率MOSFET管的驅動電源建立比較慢，如在照明中，使用pFC的電感繞組給pWM控制芯片供電，這樣，在起動的過程中，功率MOSFET由于驅動電壓不足，容易進入線性區(qū)工作。在進行動態(tài)老化探測的時候，功率MOSFET不斷的進入線性區(qū)工作，工作一段時間后，就會形成局部熱點而損壞。
使用AOT5N50作探測，G極加5V的驅動電壓，做開關機的重復探測，電流ID=3，工作頻率8Hz重復450次后，器件損壞，波形和失效圖片如圖6（b）和（c）所示?？梢钥吹剑骷纬删植繜狳c，而且離G極比較近，因此，器件是在開通過程中，由于長時間工作線性區(qū)萌生的損壞。
圖6（a）是器件AOT5N50使用于日光燈電子鎮(zhèn)流器的pFC電路，系統(tǒng)在動態(tài)老化探測過程加工失效的圖片，而且探測實際的電路，在起動過程中，MOSFET實際驅動電壓惟有5V左右，MOSFET相當于有很長的一段時間工作在線性區(qū)，失效形態(tài)和圖6（b）相同。
（a）：失效圖片（b）：失效圖片
（c）：失效波形
圖6：MOSFET開通工作在線性區(qū)工作波形及失效形態(tài)
5、結論
（1）功率MOSFET單一的過電壓損壞形態(tài)通常是在中間散熱較差的區(qū)域萌生一個局部的熱點，而單一的過電流的損壞位置通常是在電流聚集的靠近S極的區(qū)域。實際使用中，通常先發(fā)生過流，短路保護MOSFET關斷后，又經(jīng)歷雪崩過壓的復合損壞形態(tài)。
（2）損壞位置距離G極近，開通過程中損壞的幾率更大；損壞位置距離G極遠，關斷開通過程中損壞幾率更大。
（3）功率MOSFET在線性區(qū)工作時，萌生的失效形態(tài)也是局部的熱點，熱量的累積影響損壞熱點洞坑的大小。
（4）散熱條件是決定失效損壞發(fā)生位置的緊要因素，芯片的封裝類型及封裝工藝影響芯片的散熱條件。另外，芯片加工工藝萌生單元性能不一致而形成性能較差的單元，也會影響到損壞的位置。
