①利用萬用表選擇合適的擋位。為了提高測量精度，應(yīng)根據(jù)電阻標(biāo)稱值的大小選擇擋位。應(yīng)使指針的指示值盡可能落到刻度的中段位置（即全刻度起始的20%~80%弧度范圍內(nèi)），以使測量數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。

根據(jù)電阻的標(biāo)稱讀取標(biāo)稱阻值。打開萬用表擋位開關(guān)，并根據(jù)電阻的標(biāo)稱阻值將萬用表調(diào)到合適的歐姆擋位，如圖152所示。

②利用萬用表校零。

紅、黑表筆短接，調(diào)整微調(diào)旋鈕，使萬用表指針指向0Ω的位置，然后再進(jìn)行測試。

使用指針式萬用表檢測時(shí)，還需要執(zhí)行將表針校（調(diào)）零這一關(guān)鍵步驟，方法是將萬用表置于某一歐姆擋后，紅、黑表筆短接，調(diào)整微調(diào)旋鈕，使萬用表指針指向0Ω的位置，然后再進(jìn)行測試。

注意：每選擇一次量程，都需要重新進(jìn)行歐姆校零。校零示意圖如圖153所示。

圖153校零示意圖

③用萬用表測量與讀數(shù)。

將兩表筆（不分正負(fù)）分別與電阻的兩端引腳相接即可測出實(shí)際電阻值。測量時(shí)，待表針停穩(wěn)后讀取讀數(shù)，然后乘以倍率，就是所測的電阻值。

通常，指針式萬用表的歐姆擋位分為五擋，其指針?biāo)笖?shù)值與擋位相乘即為被測電阻的實(shí)際阻值。在觀測被測電阻的阻值讀數(shù)時(shí)，兩眼應(yīng)位于萬用表的正上方（即眼睛應(yīng)垂直觀測萬用表），若表盤內(nèi)有弧形反射鏡，則看到指針與其鏡中的影像重合時(shí)方可讀數(shù)。若指針位于兩條刻度線之間，則除了將刻度線所代表的阻值讀出外，還應(yīng)再估計(jì)一下刻度間的數(shù)值，如圖154所示。

圖154測量與讀數(shù)

總結(jié)：若萬用表測得的阻值與電阻標(biāo)稱阻值相等或在電阻的誤差范圍之內(nèi)，則電阻正常；若兩者之間出現(xiàn)較大偏差，即萬用表顯示的實(shí)際阻值超出電阻的誤差范圍，則該電阻不良；若萬用表測得電阻值為無窮大（斷路）、阻值為零（短路）或不穩(wěn)定，則表明該電阻已損壞，不能再繼續(xù)使用。

注意：由于人體是具有一定阻值的導(dǎo)電電阻，所以在檢測電阻時(shí)手不要同時(shí)觸及電阻兩端引腳，以免在被測電阻上并聯(lián)人體電阻，造成測量誤差，如圖155所示。

體積越來越小，容量越來越大在如今這個(gè)信息時(shí)代，存儲信息的硬盤自然而然被人們寄予了這樣的期待。得益于巨磁電阻效應(yīng)這一重大發(fā)現(xiàn)，最近20多年來，我們開始能夠在筆記本電腦、音樂播放器等所安裝的越來越小的硬盤中存儲海量信息。

瑞典皇家科學(xué)院9日宣布，將2007年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)授予法國科學(xué)家阿爾貝·費(fèi)爾和德國科學(xué)家彼得·格林貝格爾，以表彰他們發(fā)現(xiàn)了巨磁電阻效應(yīng)。瑞典皇家科學(xué)院說：今年的物理學(xué)獎(jiǎng)授予用于讀取硬盤數(shù)據(jù)的技術(shù)，得益于這項(xiàng)技術(shù)，硬盤在近年來迅速變得越來越小。

通常說的硬盤也被稱為磁盤，這是因?yàn)樵谟脖P中是利用磁介質(zhì)來存儲信息的。一般而言，在密封的硬盤內(nèi)腔中有若干個(gè)磁盤片，磁盤片的每一面都被以轉(zhuǎn)軸為軸心、以一定的磁密度為間隔劃分成多個(gè)磁道，每個(gè)磁道又進(jìn)而被劃分為若干個(gè)扇區(qū)。磁盤片的每個(gè)磁盤面都相應(yīng)有一個(gè)數(shù)據(jù)讀出頭。

簡單地說，當(dāng)數(shù)據(jù)讀出頭掃描過磁盤面的各個(gè)區(qū)域時(shí)，各個(gè)區(qū)域中記錄的不同磁信號就被轉(zhuǎn)換成電信號，電信號的變化進(jìn)而被表達(dá)為0和1，成為所有信息的原始譯碼。

伴隨著信息數(shù)字化的大潮，人們開始尋求不斷縮小硬盤體積同時(shí)提高硬盤容量的技術(shù)。1988年，費(fèi)爾和格林貝格爾各自獨(dú)立發(fā)現(xiàn)了巨磁電阻效應(yīng)，也就是說，非常弱小的磁性變化就能導(dǎo)致巨大電阻變化的特殊效應(yīng)。

這一發(fā)現(xiàn)解決了制造大容量小硬盤最棘手的問題：當(dāng)硬盤體積不斷變小，容量卻不斷變大時(shí)，勢必要求磁盤上每一個(gè)被劃分出來的獨(dú)立區(qū)域越來越小，這些區(qū)域所記錄的磁信號也就越來越弱。借助巨磁電阻效應(yīng)，人們才得以制造出更加靈敏的數(shù)據(jù)讀出頭，使越來越弱的磁信號依然能夠被清晰讀出，并且轉(zhuǎn)換成清晰的電流變化。

1997年，第一個(gè)基于巨磁電阻效應(yīng)的數(shù)據(jù)讀出頭問世，并很快引發(fā)了硬盤的大容量、小型化革命。如今，

筆記本電腦、音樂

播放器等各類數(shù)碼電子產(chǎn)品中所裝備的硬盤，基本上都應(yīng)用了巨磁電阻效應(yīng)，這一技術(shù)已然成為新的標(biāo)準(zhǔn)。

瑞典皇家科學(xué)院的公報(bào)介紹說，另外一項(xiàng)發(fā)明于上世紀(jì)70年代的技術(shù)，即制造不同材料的超薄層的技術(shù)，使得人們有望制造出只有幾個(gè)原子厚度的薄層結(jié)構(gòu)。由于數(shù)據(jù)讀出頭是由多層不同材料薄膜構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，因而只要在巨磁電阻效應(yīng)依然起作用的尺度范圍內(nèi)，科學(xué)家未來將能夠進(jìn)一步縮小硬盤體積，提高硬盤容量。