據(jù)外媒報道，最近，日本羅姆半導體公司（ROHM）宣布新增兩款車用級1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），此類晶體管非常適合用于電子壓縮機內的逆變器，以及正溫度系數(shù)（PTC）加熱器中的開關電路。羅姆半導體此次新推產(chǎn)品表明，其RGS系列中符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101認證的IGBT有1200V和650V兩種型號。該系列產(chǎn)品傳導損耗很低，有助于實現(xiàn)尺寸小、效率高的應用。

近年來，由于環(huán)保意識增強，燃料成本上升，越來越多的汽車制造商開始生產(chǎn)電動汽車。電動汽車數(shù)量的增加推動了電動壓縮機的需求，而電動壓縮機通常由IGBT驅動。內燃機汽車利用發(fā)動機本身散發(fā)的熱量作為座艙的熱源。但是，以PTC加熱器作為熱源使溫水循環(huán)制熱的各類系統(tǒng)的需求也一直在增加，而低驅動頻率的IGBT通常就用于此類應用中的逆變器和開關中。由于壓縮機和加熱器的功耗會大大影響電動汽車的續(xù)航里程，因而需要提高壓縮機和加熱器的效率。

此外，市場上的另一個趨勢是通過增加電池容量來提升電動汽車的續(xù)航里程。特別在歐洲，高電壓電池（800V）需要低損耗、高耐壓的功率元器件，也增加了對650V耐壓和1200V耐壓IGBT的需求。

為應對市場需求，羅姆新推出了4款1200V耐壓IGBT，擴大了滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101的IGBT產(chǎn)品陣容。其IGBT實現(xiàn)了低傳導損耗，可實現(xiàn)緊湊而高效的應用設計。此外，1200V耐壓IGBT產(chǎn)品的的短路耐受時間為10μsec（微秒單位，1μsec=1/1000000s；Tj=25℃），能夠可靠地應用于汽車。

通過優(yōu)化結構，1200V耐壓IGBT將傳導損耗（VCE（sat））降至1.70V，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，傳導損耗降低了10%至15%。由于IGBT驅動頻率較低，因而在電動壓縮機和PTC加熱器中，傳導損耗與開關性能相比，是一個更加重要的功能。羅姆研發(fā)了4款新IGBT，總共包括650V設備在內的11種設備。本系列產(chǎn)品中既有IGBT單品，還有內置型續(xù)流二極管（freewheel diode）產(chǎn)品，客戶可根據(jù)需求選擇最合適的設備。（文章來源：蓋世汽車）