R1：基準(zhǔn)供電電阻；與IC內(nèi)部電阻構(gòu)成分壓電路，控制內(nèi)部過充、過放電壓比較器的電平翻轉(zhuǎn)；一般在阻值為330、470比較多；當(dāng)封裝形式（即用標(biāo)準(zhǔn)元件的長和寬來表示元件大小，如0402封裝標(biāo)識此元件的長和寬分別為1.0mm和0.5mm）較大時(shí)，會用數(shù)字標(biāo)識其阻值，如貼片電阻上數(shù)字標(biāo)識473，即表示其阻值為47000即47K（第三位數(shù)表示在前兩位后面加0的位數(shù)）。

R2：過流、短路檢測電阻；通過檢測VM端電壓控制保護(hù)板的電流，焊接不良、損壞會造成電池過流、短路無保護(hù)，一般阻值為1K、2K較多。

R3：ID識別電阻或NTC電阻（前面有介紹）或兩者都有。

總結(jié)：電阻在保護(hù)板中為黑色貼片，用萬用表可測其阻值，當(dāng)封裝較大時(shí)其阻值會用數(shù)字表示，表示方法如上所述，當(dāng)然電阻阻值一般都有偏差，每個(gè)電阻都有精度規(guī)格，如10K電阻規(guī)格為+/－5％精度則其阻值為9.5K－10.5K范圍內(nèi)都為合格。

C1、C2：由于電容兩端電壓不能突變，起瞬間穩(wěn)壓和濾波用途?？偨Y(jié)：電容在保護(hù)板中為黃色貼片，封裝形式0402較多，也有少數(shù)0603封裝(1.6mm長,0.8mm寬)；用萬用表檢測其阻值一般為無窮大或M級別；電容漏電會出現(xiàn)自耗電大，短路無自恢復(fù)現(xiàn)象。FUSE：普通FUSE或PTC（PositiveTemperatureCoefficient的縮寫，意思是正溫度系數(shù)）；防止不安全大電流和高溫放電的發(fā)生，其中PTC有自恢復(fù)功能。

總結(jié)：FUSE在保護(hù)板中一般為白色貼片，LITTE公司供應(yīng)FUSE會在FUSE上標(biāo)識字符D-T，字符表示意思為FUSE能承受的額定電流，如表示D額定電流為0.25A，S為4A，T為5A等。

U1：控制IC；保護(hù)板所有功能都是IC通過監(jiān)視連接在VDD-VSS間的電壓差及VM-VSS間的電壓差而控制C-MOS執(zhí)行開關(guān)動作來實(shí)現(xiàn)的。

Cout：過充控制端；通過MOS管T2柵極電壓控制MOS管的開關(guān)。

Dout：過放、過流、短路控制端；通過MOS管T1柵極電壓控制MOS管的開關(guān)。

VM：過流、短路保護(hù)電壓檢測端；通過檢測VM端的電壓實(shí)現(xiàn)電路的過流、短路保護(hù)

（U（VM）=I*R（MOSFET））。

總結(jié)：IC在保護(hù)板中一般為6個(gè)管腳的封裝形式，其差別管腳的方法為：在封裝體上標(biāo)識黑點(diǎn)的附近為第1管腳，然后逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)分別為第2、3、4、5、6管腳；如封裝體上無黑點(diǎn)標(biāo)識，則正看封裝體上字符左下為第1管腳，其余管腳逆時(shí)針類推）C-MOS：場效應(yīng)開關(guān)管；保護(hù)功能的實(shí)現(xiàn)者；連焊、虛焊、假焊、擊穿時(shí)會造成電池?zé)o保護(hù)、無顯示、輸出電壓低等不良現(xiàn)象。

總結(jié)：CMOS在保護(hù)板中一般為8個(gè)管腳的封裝形式，它時(shí)由兩個(gè)MOS管構(gòu)成，相當(dāng)于兩個(gè)開關(guān)，分別控制過充保護(hù)和過放、過流、短路保護(hù)；其管腳區(qū)分方法和IC相同。

在保護(hù)板正常情況下，Vdd為高電平，Vss、VM為低電平，Dout、Cout為高電平；當(dāng)Vdd、Vss、VM任何一項(xiàng)參數(shù)變換時(shí)，Dout或Cout的電平將發(fā)生變化，此時(shí)MOSFET執(zhí)行相應(yīng)的動作（開、關(guān)電路），從而實(shí)現(xiàn)電路的保護(hù)和恢復(fù)功能。