制作太陽能電池的用料以半導(dǎo)體材料為主，當(dāng)然也有基于不同材料的電池，不同材料制作的電池在關(guān)于光電轉(zhuǎn)換的反應(yīng)上有著不同的方式。本文就將為大家介紹與晶體硅太陽能電池有關(guān)的知識(shí)，對(duì)晶體硅太陽能電池的因?yàn)榭涛g不完整造成的漏電情況進(jìn)行分析，感興趣的朋友快來看看吧。

刻蝕不完全或未刻蝕造成的漏電

擴(kuò)散工藝中在硅片的上表面和周邊都擴(kuò)散上了N型結(jié)，假如不去除周邊的N型結(jié)會(huì)導(dǎo)致電池片正負(fù)極被周邊的N型結(jié)聯(lián)接起來，使電池正負(fù)極接通，起不到電池的用途，等離子刻蝕去除太陽能電池的周邊結(jié)，其腐蝕反應(yīng)方程為：

CF4------C+4F*(1)

Si+4F------SiF4*↑(2)

等離子體刻蝕是采用高頻輝光放電反應(yīng)，使反應(yīng)氣體激活成活性粒子，如原子或游離基，這些活性粒子擴(kuò)散到需刻蝕的部位，在那里與被刻蝕材料進(jìn)行反應(yīng)，形成揮發(fā)性生成物而被去除。

假如硅片未刻蝕或刻蝕不完全沒有及時(shí)發(fā)現(xiàn)，并且下傳印刷，將出現(xiàn)局部漏電的電池片，可以通過IR紅外熱成像儀，判斷局部漏電硅片是否刻蝕原因出現(xiàn)的。

IR紅外熱成像儀的工作原理是在連接電池片的正負(fù)極時(shí)，使電池片上會(huì)形成一個(gè)電流回路，當(dāng)有區(qū)域漏電時(shí)，該區(qū)域的電流就會(huì)特別大，出現(xiàn)的熱量就會(huì)比較多，紅外成像儀可以根據(jù)硅片表面出現(xiàn)的不同熱量轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，進(jìn)而在顯示器上形成熱圖像，可以對(duì)發(fā)熱的異常區(qū)域進(jìn)行準(zhǔn)確的識(shí)別。

圖1

刻蝕不完全或未刻蝕的硅片在IR下表現(xiàn)為電池片邊緣發(fā)紅，如圖1所示?？涛g不完全或未刻蝕的電池片在進(jìn)行四周打磨后漏電流會(huì)減少到2A以下，如表1所示。

表1

以上幾點(diǎn)可以判斷為刻蝕不完全或未刻蝕造成的?？涛g不完全重要是由于硅片邊結(jié)由于設(shè)備原因或人為原因未去除干凈，導(dǎo)致漏電過大的異?，F(xiàn)象重要有以下原因：1)刻蝕功率過??；2)刻蝕時(shí)間不足；3)刻蝕壓力波動(dòng)導(dǎo)致刻蝕不均；4)刻蝕時(shí)機(jī)臺(tái)故障，以致刻蝕未進(jìn)行完全；5)刻蝕時(shí)，硅片底部托盤未旋轉(zhuǎn)，導(dǎo)致刻蝕不均；6)人為原因，將未刻蝕硅片下傳；針對(duì)以上原因要加強(qiáng)刻蝕機(jī)的監(jiān)控，新增人員的責(zé)任意識(shí)。

通過以上的介紹可以看到，只要文中提到的一些問題出現(xiàn)，那么很有可能就是由于刻蝕不完全而導(dǎo)致的問題。當(dāng)然，晶體硅太陽能電池出現(xiàn)漏電的錯(cuò)誤并不是單單這一種情況造成的，其他很多情況也會(huì)造成電池漏電的情況發(fā)生，希望大家在閱讀本文之后能夠有所收獲。