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太陽能電池片燒結(jié)工藝

鉅大LARGE  |  點(diǎn)擊量:1999次  |  2020年06月10日  

燒結(jié)就是把印刷到硅片上的電極在高溫下燒結(jié)成電池片,最終使電極和硅片本身形成歐姆接觸,從而提高電池片的開路電壓和填充因子2個(gè)關(guān)鍵因素參數(shù),使電極的接觸具有電阻特性,達(dá)到生產(chǎn)高轉(zhuǎn)效率電池片的目的.燒結(jié)過程中有利于pECVD工藝所引入-H向體內(nèi)擴(kuò)散,可以起到良好的體鈍化用途。


燒結(jié)方式:高溫快速燒結(jié)


加熱方式:紅外線加熱


燒結(jié)過程


1、燒結(jié)是一個(gè)擴(kuò)散、流動(dòng)和物理化學(xué)反應(yīng)綜合用途的過程。在印刷狀況穩(wěn)定的前提下,溫區(qū)溫度、氣體流量、帶速是燒結(jié)的三個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。2、由于要形成合金必須達(dá)到一定的溫度,Ag、Al與Si形成合金的穩(wěn)定又不同,所以必須設(shè)定不同的溫度來分別實(shí)現(xiàn)合金化。


3、將印刷好的上,下電極和背場(chǎng)的硅片經(jīng)過網(wǎng)印刷機(jī)的傳送帶傳到燒結(jié)爐中,經(jīng)過烘干排焦、燒結(jié)和冷卻烘干排焦、烘干排焦燒結(jié)和冷卻過程來完成燒結(jié)工藝最終達(dá)到上下電極和電池片的歐姆接觸。


①烘干排焦一


在網(wǎng)帶的上、下都裝有加熱帶,由溫控儀控制其溫度。目的是將印刷有漿料硅片烘干,并使?jié){料內(nèi)絕大部分焦油揮發(fā)出來。假如溫度設(shè)置不合理,不能使大部分焦油從漿料中揮發(fā)出來,剩下的焦油在進(jìn)入下一區(qū)域時(shí)會(huì)對(duì)燒結(jié)的效果影響很嚴(yán)重,對(duì)轉(zhuǎn)換率有高達(dá)0.2%的影響。為了保證設(shè)備安全,在每個(gè)區(qū)域都設(shè)有2個(gè)熱電偶,一個(gè)用于溫度控制,一個(gè)用于過溫保護(hù)。


①烘干排焦二


為了減少腔室內(nèi)熱量的損失,在設(shè)備強(qiáng)勢(shì)內(nèi)部的四周安裝上隔熱板,并在腔室外的兩邊裝上了鋁的隔熱反射板,讓整個(gè)腔室始終保持一個(gè)穩(wěn)定的溫度,有利于工藝的穩(wěn)步進(jìn)行。對(duì)流器:對(duì)流器:為了能讓從漿料中揮發(fā)的焦油全部從抽風(fēng)管道中抽走,設(shè)計(jì)了一個(gè)對(duì)流加熱器。從烘干區(qū)上部的對(duì)流加熱器中吹出溫度受控的氣體,吹到腔室中,在從烘干區(qū)的兩頭將氣體抽出,保證從硅片揮發(fā)出來的焦油被對(duì)流加熱器吹出的熱氣帶出腔室內(nèi),而不會(huì)導(dǎo)致硅片揮發(fā)出來的熱焦油在機(jī)器出口處冷凝而回流到設(shè)備里。對(duì)流盒子內(nèi)置在加熱盒子里,經(jīng)過過濾的大氣被熱空氣風(fēng)扇吸入到一個(gè)溫度可控的加熱器中,最后進(jìn)入到腔室內(nèi)。但為保證安全操作,假如吸入的空氣總量在新增,相應(yīng)離開的總量必須是合適的。


②快速加熱燒結(jié)


根據(jù)工藝要求,要此腔室的燈管能供應(yīng)很高(高到1000℃)的溫度,并且能在高溫下工作。一般用石英玻璃管加熱器。此種設(shè)備用氣流把快速加熱箱分成4獨(dú)立的加熱系統(tǒng),以保證每個(gè)腔室溫度的獨(dú)立性,可形成一個(gè)一個(gè)的溫度階梯,從而使最后一個(gè)溫區(qū)的溫度在很短時(shí)間達(dá)到一個(gè)很高的溫度。這樣設(shè)計(jì)還可以是每個(gè)隔離區(qū)域橫向位置溫度的不均勻性在一個(gè)很小的范圍內(nèi)。在此腔室內(nèi)每個(gè)抽風(fēng)口都特別設(shè)計(jì)了一個(gè)帶加熱裝置的文氏閥,能保證腔室內(nèi)出現(xiàn)的廢氣流很快離開腔室,防止在燒文氏閥結(jié)溫區(qū)廢氣對(duì)硅片的污染,還能讓出現(xiàn)的廢氣流不在管道口處冷凝。關(guān)于溫度的測(cè)試,2個(gè)熱偶被安裝在加熱區(qū)域。一個(gè)用于溫度控制,一個(gè)用于超溫報(bào)警。最后一個(gè)溫區(qū)中安裝了2個(gè)熱偶,于皮帶正上方20mm處,他們反映了形成歐姆接觸的共晶溫度的真實(shí)值,他們的值可以在加熱菜單看到,可以直接了解內(nèi)部的實(shí)際溫度。為了能讓溫度急劇下降,在高溫區(qū)出口處的側(cè)壁、上下部分都裝有水冷系統(tǒng)。為了保證大部分熱量都輻射到腔室內(nèi),在全部的加熱盒子周圍都覆蓋上保溫層,在外層還覆蓋有雙層的鋁反射板,有效延長了燈管的使用壽命。


③冷卻


冷卻盒子是一個(gè)可循環(huán)的盒子,為了冷卻電池片和皮帶,運(yùn)送冷卻水的管道安裝在皮帶的上部和下部。冷卻風(fēng)扇分別安裝在循環(huán)水管道的上方和下方。風(fēng)速可以調(diào)整,上部的風(fēng)扇將周圍的空氣通過冷卻管道送到硅片和皮帶上,下面的風(fēng)扇吸走通過皮帶周圍和硅片底部的空氣。


燒結(jié)要達(dá)到的效果


1、正面Ag穿過SiNH擴(kuò)散進(jìn)硅但不可到達(dá)p-n;


2、背面Ag、Al擴(kuò)散進(jìn)硅。


這樣,Ag、Ag/Al、Al將與硅形成合金,建立了良好的電極歐姆接觸,起到良好的收集電子的效果。


燒結(jié)設(shè)備概述


燒結(jié)傳送帶系統(tǒng)


燒結(jié)爐結(jié)構(gòu)


燒結(jié)各溫區(qū)用途


烘干區(qū):使有機(jī)溶劑脫離漿料燒結(jié)區(qū)


燒結(jié)區(qū):使電極、背場(chǎng)可形成良好的歐姆接觸,減小串阻


燒結(jié)溫度曲線


燒結(jié)要注意的問題


1、在設(shè)定溫度的同時(shí)也要考慮到Al的沸點(diǎn)較低,當(dāng)超過其沸點(diǎn)時(shí),將有Al進(jìn)入工藝環(huán)境。這些會(huì)擴(kuò)散入電池正面的p-n處,對(duì)其發(fā)生破壞用途。


2、燒結(jié)時(shí)會(huì)有一定量的H從硅片中逸出,必然減弱H對(duì)硅片的鈍化用途。所以要有激冷的步驟以防止過多H的逸出。


3、高溫前,一定要保證漿料中的有機(jī)物已經(jīng)經(jīng)過烘干并揮發(fā)干凈。


4、氣流過小時(shí)會(huì)導(dǎo)致排風(fēng)不暢,使工藝環(huán)境中存在大量有害雜質(zhì)。各個(gè)溫區(qū)的氣流要保持平衡。


5、過快的帶速和過大的氣流會(huì)減弱高溫的用途。


燒結(jié)對(duì)電池片的影響


1、相關(guān)于鋁漿燒結(jié),銀漿的燒結(jié)要重要很多,對(duì)電池片電性能影響重要表現(xiàn)在串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻,即FF的變化。


2、鋁漿燒結(jié)的目的使?jié){料中的有機(jī)溶劑完全揮發(fā),并形成完好的鋁硅合金和鋁層。局部的受熱不均和散熱不均可能會(huì)導(dǎo)致起包,嚴(yán)重的會(huì)起鋁珠。


3、背面場(chǎng)經(jīng)燒結(jié)后形成的鋁硅合金,鋁在硅中是作為p型摻雜,它可以減少金屬與硅交接處的少子復(fù)合,從而提高開路電壓和短路電流,改善對(duì)紅外線的響應(yīng)。


燒結(jié)質(zhì)量要求


1、最優(yōu)的電性能參數(shù)


2、燒結(jié)后的氮化硅表面顏色應(yīng)該均勻,無明顯的色差.


3、電極無斷線


4、背場(chǎng)無鋁珠


5、電池最大彎曲度不超過4mm


6、燒結(jié)溫度的控制


溫度過低導(dǎo)致燒結(jié)不足即串聯(lián)電阻過大;


溫度過高導(dǎo)致燒穿即并聯(lián)電阻過小


燒結(jié)常見問題


1、弓片


問題分析:較差的鋁漿和流程導(dǎo)致出現(xiàn)粗糙表面


問題解決:良好的鋁漿和追求更好的更好的工藝流程條件。


2、鋁泡


問題分析:沒有完全的燒結(jié)有時(shí)導(dǎo)致有鋁泡。


問題解決:試圖新增燒結(jié)區(qū)溫度,假如溫度的上升并不能解決問題可以獨(dú)立的進(jìn)行頂部和底部的溫度設(shè)置。


3、斷柵


問題分析:在后面兩個(gè)溫區(qū)溫度過高。


問題解決:降低溫度或者提高帶速。


4、電極缺失


問題分析:重要是由于印刷厚度,流程,加熱不均勻。


問題解決:根據(jù)調(diào)整燒結(jié)溫度或印刷參數(shù)。


燒結(jié)原理


印刷了漿料的硅片經(jīng)過烘干排焦過程后使?jié){料中的大部分有機(jī)溶劑揮發(fā),膜層收縮為固狀物緊密粘附在硅片上,這時(shí)可視為金屬電極材料和硅片接觸在一起。所謂的燒結(jié)過程是要使電極和硅片本身形成歐姆接觸,其原理為當(dāng)電極里金屬材料和半導(dǎo)體單晶硅加熱到共晶溫度時(shí),單晶硅原子以一定比例融入到熔融的合金電極材料中.單晶硅原子融入到電極金屬中的整個(gè)過程一般只要幾秒鐘的時(shí)間。融入單晶硅原子數(shù)目取決于合金溫度和電極材料的體積,燒結(jié)合金溫度越高,電極金屬材料體積越大,則融入的硅原子數(shù)目就越多,這時(shí)的合金狀態(tài)被稱為晶體電極金屬的合金系統(tǒng).假如此時(shí)的溫度降低,系統(tǒng)開始冷卻形成再結(jié)晶層,這時(shí)原先溶入到電極金屬材料中的硅原子重新以固態(tài)形式結(jié)晶出來,也就是在金屬和晶體接觸界面上生長出一層外延層。假如外延層內(nèi)含有足夠的量的與原先晶體材料導(dǎo)電類型相同的雜質(zhì)成分,就獲得了用合金法工藝形成的歐姆接觸;假如在結(jié)晶層含有足夠量的與原先晶體材料導(dǎo)電類型異型的雜質(zhì)成分就獲得了用合金工藝形成的p-N結(jié)。


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