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用碳化硅提高工業(yè)應(yīng)用中的能源效率

鉅大LARGE  |  點(diǎn)擊量:1288次  |  2020年04月17日  

服務(wù)器電源,不間斷電源(UPS)和電動機(jī)驅(qū)動器等工業(yè)應(yīng)用消耗了世界上很大一部分功率。因此,工業(yè)電源效率的任何提高都將大大降低公司的運(yùn)營成本。結(jié)合更高的功率密度和更好的熱性能,對高效電源的需求呈指數(shù)增長。有幾個(gè)因素正在推動這一增長。首先是全球能源意識的提高,以及越來越迫切地更明智和更有效地使用能源。第二個(gè)是物聯(lián)網(wǎng)(IoT),它導(dǎo)致將各種新技術(shù)和服務(wù)引入工業(yè)應(yīng)用。


借助工業(yè)4.0等智能行業(yè)計(jì)劃,機(jī)器,工廠和工作場所通過連接設(shè)備變得更加智能和意識,以實(shí)現(xiàn)更大的自治性,效率,可靠性和安全性。但是,工業(yè)自動化(例如機(jī)器人和機(jī)動生產(chǎn)線)伴隨著不斷增加的使用量和為這些系統(tǒng)供電的電力成本。為了保持競爭力,制造商需要能夠開發(fā)新的操作方法以降低工廠成本。他們還需要充分利用每平方米的占地面積,因?yàn)樵O(shè)備占地面積會直接影響運(yùn)營成本。


圖1:碳化硅(SiC)比傳統(tǒng)的碳化硅(Si)具有許多優(yōu)勢。[來源:Wolfshyspeed,Cree公司]


能耗的影響還擴(kuò)展到數(shù)據(jù)中心,該數(shù)據(jù)中心容納了支持工業(yè)應(yīng)用程序的服務(wù)器。通過自動化,人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)來增加數(shù)據(jù)流量,反過來又增加了保持設(shè)備運(yùn)行所需的處理資源。熱性能也很重要,因?yàn)閿?shù)據(jù)中心消耗的功率中有20%用于保持?jǐn)?shù)據(jù)中心冷卻。


對更高效率,更低成本的需求


由于工業(yè)設(shè)備通常以24/7全天候運(yùn)行,因此效率的任何提高都可以在大大降低能耗方面迅速轉(zhuǎn)化為實(shí)際節(jié)省。解決能源問題的最直接方法是提高為這些工業(yè)系統(tǒng)提供動力的系統(tǒng)的能源效率。


正如Cree|Wolfspeed的創(chuàng)始人之一約翰帕爾默(JohnPalmour)所說:最便宜的電源就是您不使用的電源。因此,行業(yè),政府和制造商承受著巨大的壓力,要求開發(fā)更高效的電源。例如,諸如能源之星(EnergyStar)和80Plus之類的標(biāo)準(zhǔn)促進(jìn)了電源裝置(PSU)的高效能耗。通過滿足這些標(biāo)準(zhǔn),PSUOEM可以輕松地向要求苛刻的市場展示其系統(tǒng)的效率。電源設(shè)計(jì)人員面臨的最大挑戰(zhàn)是功率密度,熱性能和轉(zhuǎn)換效率這三個(gè)特性。此外,設(shè)計(jì)人員需要在最小化整體系統(tǒng)成本的同時(shí)滿足這些挑戰(zhàn)。


傳統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)方法將繼續(xù)在這些方面提供一些改進(jìn),但是由于開發(fā)人員多年來一直致力于從這些系統(tǒng)中獲取更多收益,因此收益將受到限制。為了實(shí)現(xiàn)重大改進(jìn),需要新的方法。


碳化硅交付


碳化硅(SiC)是一種寬帶隙半導(dǎo)體基材。它可用作裸露的裸片基板,用于肖特基二極管,MOSFET和功率模塊等分立組件。


圖2:此圖顯示了20kWSiCAC/DC轉(zhuǎn)換器的效率。從這些實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出,該轉(zhuǎn)換器能夠?qū)崿F(xiàn)大于98.5%的峰值效率,達(dá)到80PlusTitanium標(biāo)準(zhǔn)。[來源:Cree公司的Wolfspeed]


歷史上,硅(Si)被用作大多數(shù)電子應(yīng)用的半導(dǎo)體基礎(chǔ)。但是,與SiC相比,Si是電源系統(tǒng)的低效基礎(chǔ)。SiC提供了許多優(yōu)于Si的優(yōu)勢(見圖1)。


這些包括:


●與基于SiC的組件相比,基于SiC的組件具有更低的泄漏電流。這是因?yàn)殡娮?空穴對在SiC中產(chǎn)生的速度比在Si中產(chǎn)生的速度慢,從而在開關(guān)斷開時(shí)導(dǎo)致較低的泄漏電流損耗。


●SiC具有3電子伏特(eV)的寬帶隙,并且能夠承受大于Si八倍的電壓梯度,而不會發(fā)生雪崩擊穿。SiC更高的臨界擊穿強(qiáng)度使它們能夠在與Si相同的封裝中承受更高的電壓。因此,與Si相比,可以在大約10倍的阻斷電壓下創(chuàng)建MOSFET之類的基于SiC的組件。因此,可以可靠地制造非常高電壓,高功率的設(shè)備,設(shè)計(jì)人員可以在更窄的范圍內(nèi)工作以提供更高的性能。這些設(shè)備可以非常緊密地放置在一起,從而可以提高組件的包裝密度。


●較高的熱導(dǎo)率導(dǎo)致更有效的熱傳遞。此外,較低的通態(tài)電阻可降低傳導(dǎo)損耗。


●SiC基組件具有更高的開關(guān)頻率。更高的SiC開關(guān)頻率可使峰值效率gt98.5%,從而使系統(tǒng)有可能達(dá)到80Plus鈦標(biāo)準(zhǔn)(見圖2)。


該圖顯示了20kWSiCAC/DC轉(zhuǎn)換器的效率。從這些實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出,該轉(zhuǎn)換器能夠?qū)崿F(xiàn)大于98.5%的峰值效率,達(dá)到80PlusTitanium標(biāo)準(zhǔn)。資料來源:Wolfspeed。


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