imec的研究人員的N型PERT(鈍化發(fā)射極、背面全擴(kuò)散)太陽(yáng)能電池日前實(shí)現(xiàn)一個(gè)新的創(chuàng)紀(jì)錄的轉(zhuǎn)換效率，該電池啟用Meco的鎳/銅/銀鍍層(三根主柵線(xiàn)電網(wǎng))技術(shù)以及SoLayTec的原子層沉積(ALD)Al2O3工藝。

imec表示，大面積硅片(156mmx156mm)N型PERT太陽(yáng)能電池在FraunhoferISECalLab校準(zhǔn)。

imec光伏部門(mén)總監(jiān)JozefSzlufcik表示：盡管處于早期開(kāi)發(fā)階段，但是結(jié)果顯示n型PERT太陽(yáng)能電池非常高的效率潛力。此外，由于硼氧化合物，n型電池仍不受到存在于p型電池光致降解的影響，從而使得長(zhǎng)期能源產(chǎn)量的提高，并因此降低整個(gè)每千瓦時(shí)成本。

據(jù)說(shuō)該電池已經(jīng)實(shí)現(xiàn)677mV的開(kāi)路電壓(Voc)，39.1mA/cm2的短路電流(Jsc)以及81.3%的填充系數(shù)，證明隨著雙面接觸晶體硅太陽(yáng)能電池用于批量商業(yè)化生產(chǎn)，具有潛力改進(jìn)轉(zhuǎn)換效率。

據(jù)說(shuō)N型PERT電池采用一個(gè)由硼擴(kuò)散出現(xiàn)的背面覆蓋p+發(fā)射極，n+前表面局域上的金屬觸點(diǎn)借助于Meco的鎳/銅/銀鍍層形成。

據(jù)說(shuō)p+發(fā)射極背面局部觸點(diǎn)已經(jīng)由背面鈍化堆積和隨后鋁的物理氣相沉積的激光燒蝕出現(xiàn)。背面鈍化堆積包括一個(gè)薄的(<10nm)ALD基Al2O3層，在其InPassion設(shè)備中采用SoLayTec的空間ALD技術(shù)。

SoLayTec的聯(lián)合創(chuàng)始人兼營(yíng)銷(xiāo)和銷(xiāo)售經(jīng)理RogerG？rtzen在接受PV-Tech采訪(fǎng)時(shí)表示：很好的結(jié)論是我們的工業(yè)InPassionALD比熱濕氧化處理更好。這意味著，ALD設(shè)備可以用于下一代電池概念，如PERC技術(shù)和用于N型鈍化，硬件沒(méi)有任何改變。

低成本N型硅片的可用性還被視作未來(lái)幾年主流太陽(yáng)能電池生產(chǎn)商，預(yù)期更廣泛地采用基片的一個(gè)重要部分。