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東芝技術(shù)總監(jiān)詳解開關(guān)電源發(fā)展新要求

鉅大LARGE  |  點擊量:1207次  |  2019年12月27日  

OFweek電源網(wǎng):隨著智能手機的普及,4G網(wǎng)絡以及云計算等的不斷擴大,基站、網(wǎng)絡、數(shù)據(jù)中心等基礎設施相關(guān)市場也隨之擴大。在電子產(chǎn)品輕薄短小的需求驅(qū)動下,開關(guān)電源以小型、輕量和高效率等眾多優(yōu)點,迅速取代線性電源,并普及于各種電子產(chǎn)品領(lǐng)域。有鑒于此,為滿足不斷攀升的市場需求,東芝加大開關(guān)電源研發(fā)力度,并提供滿足不同應用的新產(chǎn)品。


經(jīng)過三十多年的發(fā)展,中國的開關(guān)電源產(chǎn)業(yè)業(yè)已形成完善的產(chǎn)業(yè)鏈。面對眾多競爭對手,東芝電子(中國)有限公司技術(shù)統(tǒng)括部總監(jiān)多田升先生指出,東芝擁有豐富封裝的高壓MOS管(HV-MOS)和低壓MOS(LV-MOS)產(chǎn)品線,能滿足從消費類電子到工業(yè)相關(guān)設備的不同需求。


東芝注重開發(fā)AC-DC用HV-MOS和DC-DC用LV-MOS產(chǎn)品。隨著今后功率器件需求的不斷擴大,東芝面向通信、數(shù)據(jù)中心的產(chǎn)品也將持續(xù)開發(fā)出來。針對HV-MOS(SuperJunctionMOS)方面,東芝將對DTMOSIV進行產(chǎn)品化,并對以更低損耗且高耐壓(900V)為目標的HV-DTMOS進行開發(fā)。LV-MOS方面,東芝開發(fā)UMOSVIII,不斷充實產(chǎn)品線,甚至擴充到工業(yè)方面對耐壓有需求的250V產(chǎn)品。


事實上,開關(guān)電源用器件的高效率化,有助于實現(xiàn)設備的小型化和節(jié)能。為滿足以上需求,多田升先生透露,東芝將開發(fā)低損耗器件和符合JEDEC標準的高可靠性產(chǎn)品。


為更好地實現(xiàn)設備的小型化,東芝正在對IPD(IntelligentPowerDevice)的DIP封裝產(chǎn)品化,甚至還在開發(fā)更小型的HSOP。與此同時,東芝正在著手開發(fā)分立器件的雙面放熱型新型封裝,以實現(xiàn)小型且高放熱。為實現(xiàn)低損耗,東芝還開發(fā)出業(yè)界頂級的低導通電阻技術(shù)。


在節(jié)能環(huán)保的發(fā)展趨勢下,可再生能源等新能源領(lǐng)域要求具備高效輸電技術(shù)。面對能源消耗的問題,在功率器件方面,東芝開發(fā)出有助于提升HVDC(高壓直流輸電)技術(shù)及各種電源效率的產(chǎn)品,擁有30V到4500V的豐富產(chǎn)品線。


談到功率器件新工藝新突破時,多田升先生強調(diào),相較于其他公司的多外延(MultitypeEpitaxial)構(gòu)造,東芝實現(xiàn)了采用自行研發(fā)的單外延(SingleEpitaxial)構(gòu)造。通過該技術(shù),使得半導體器件在高溫工作時也能實現(xiàn)導通電阻的降低。除此之外,LV-MOS通過新的溝槽構(gòu)造,能改善低導通電阻以及開關(guān)性能的權(quán)衡,在確保開關(guān)速度的同時,實現(xiàn)低導通電阻。最后,多田升先生特別指出,除了積極研發(fā)新工藝之外,在新材料升級方面,東芝已經(jīng)著手進行SiC、GaN等新材料器件的開發(fā)。截至目前為止,SiC二極管已經(jīng)上市,GaN的開發(fā)也在不斷進行中。


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